NexFET™ Power MOSFETs参考设计

天南地北客

NexFET™ Power MOSFETs

特性

● 超低Qg和QGD

● 低热阻

● 额定雪崩

● 无铅端子电镀

● 符合RoHS

● 无卤

● SON5毫米×6毫米的塑料包装

参考设计描述

该德州仪器参考设计特别采用NexFET功率MOSFET，可提供一半相同的电阻可实现90％的电源效率双频率的栅极电荷。它提供了一个低的电阻，并需要一个非常低的栅极电荷与行业标准封装概述。这种组合在以前是不可能与现有硅平台。德州仪器（TI）NexFET™功率MOSFET技术可以提高高功率计算，网络，服务器系统和电源的能效。

通用能量收集适配器模块热电发生器参考德州仪器的设计旨在为能量收集解决方案并给予热电发生器实际应用。它是一个运行在60nA的完全可编程状态机，并在需要时由系统来优化功耗可以启用和禁用键的功能。TIDA-00246可作为用作超低功耗状态机BoosterPack为MSP430FR5969 LaunchPad开发套件（MSP-EXP430FR5969）。